S2MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S2MHE3_A/I

S2MHE3_A/I

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Numéro d'article	S2MHE3_A/I
LIXINC Part #	S2MHE3_A/I
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S2MHE3_A/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 21 - May 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S2MHE3_A/I Caractéristiques

Numéro d'article:	S2MHE3_A/I
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1000 V
courant - moyen redressé (io):	1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.15 V @ 1.5 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	2 µs
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:	16pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C