ULN2003APG,CN | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation ULN2003APG,CN

ULN2003APG,CN

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Numéro d'article	ULN2003APG,CN
LIXINC Part #	ULN2003APG,CN
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description	IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ULN2003APG,CN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 15 - Jun 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

ULN2003APG,CN Caractéristiques

Numéro d'article:	ULN2003APG,CN
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	7 NPN Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	500mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
vce saturation (max) @ ib, ic:	1.6V @ 500µA, 350mA
courant - coupure collecteur (max):	50µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 350mA, 2V
puissance - maximum:	1.47W
fréquence - transition:	-
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	16-DIP (0.300", 7.62mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	16-DIP