MMUN2216LT1G

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Numéro d'article MMUN2216LT1G
LIXINC Part # MMUN2216LT1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MMUN2216LT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMUN2216LT1G Caractéristiques

Numéro d'article:MMUN2216LT1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):4.7 kOhms
résistance - base émettrice (r2):-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:160 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:400 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)

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