MJE181G

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Numéro d'article MJE181G
LIXINC Part # MJE181G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MJE181G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé May 17 - May 21 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJE181G Caractéristiques

Numéro d'article:MJE181G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):3 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.7V @ 600mA, 3A
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:50 @ 100mA, 1V
puissance - maximum:1.5 W
fréquence - transition:50MHz
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-225AA, TO-126-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-225AA

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