BC857C/DG/B4R | Nexperia BC857C/DG/B4R | BC857C/DG/B4R Inventory, Best Pricing

BC857C/DG/B4R

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Numéro d'article	BC857C/DG/B4R
LIXINC Part #	BC857C/DG/B4R
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANSISTOR GEN PURP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BC857C/DG/B4R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BC857C/DG/B4R Caractéristiques

Numéro d'article:	BC857C/DG/B4R
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	45 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	650mV @ 5mA, 100mA
courant - coupure collecteur (max):	15nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	125 @ 2mA, 5V
puissance - maximum:	250 mW
fréquence - transition:	100MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-236AB