ZXMN6A11DN8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

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Numéro d'article	ZXMN6A11DN8TA
LIXINC Part #	ZXMN6A11DN8TA
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZXMN6A11DN8TA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ZXMN6A11DN8TA Caractéristiques

Numéro d'article:	ZXMN6A11DN8TA
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.5A
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA (Min)
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5.7nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	330pF @ 40V
puissance - maximum:	1.8W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO