IRF7314PBF

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Numéro d'article IRF7314PBF
LIXINC Part # IRF7314PBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description P-CHANNEL POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF7314PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 15 - Jun 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF7314PBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF7314PBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5.3A
rds sur (max) @ id, vgs:58mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:29nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:780pF @ 15V
puissance - maximum:2W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO

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