MSCSM120AM03CT6LIAG | Roving Networks / Microchip Technology MSCSM120AM03CT6LIAG | MSCSM120AM03CT6LIAG Inventory, Best Pricing

MSCSM120AM03CT6LIAG

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Numéro d'article	MSCSM120AM03CT6LIAG
LIXINC Part #	MSCSM120AM03CT6LIAG
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MSCSM120AM03CT6LIAG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 04 - Jun 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MSCSM120AM03CT6LIAG Caractéristiques

Numéro d'article:	MSCSM120AM03CT6LIAG
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N Channel (Phase Leg)
fonction fet:	Silicon Carbide (SiC)
tension drain-source (vdss):	1200V (1.2kV)
courant - drain continu (id) @ 25°c:	805A (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 400A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	2320nC @ 20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	30200pF @ 1kV
puissance - maximum:	3.215kW (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	SP6C LI