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NTMD6N02R2

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Numéro d'article	NTMD6N02R2
LIXINC Part #	NTMD6N02R2
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	N-CHANNEL POWER MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTMD6N02R2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 16 - Jun 20 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTMD6N02R2 Caractéristiques

Numéro d'article:	NTMD6N02R2
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.92A
rds sur (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 16V
puissance - maximum:	730mW
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC