FDS8960C | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDS8960C

FDS8960C

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Numéro d'article	FDS8960C
LIXINC Part #	FDS8960C
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDS8960C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 21 - May 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDS8960C Caractéristiques

Numéro d'article:	FDS8960C
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N and P-Channel
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	35V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7A, 5A
rds sur (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	7.7nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	570pF @ 15V
puissance - maximum:	900mW
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC