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BSO615NGHUMA1

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Numéro d'article	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSO615NGHUMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 20 - May 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSO615NGHUMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSO615NGHUMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	SIPMOS®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.6A
rds sur (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 20µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	380pF @ 25V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-DSO-8