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IGN1011L70

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Numéro d'article	IGN1011L70
LIXINC Part #	IGN1011L70
Fabricant	Integra Technologies
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IGN1011L70 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IGN1011L70 Caractéristiques

Numéro d'article:	IGN1011L70
Marque:	Integra Technologies
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Integra Technologies
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	GaN HEMT
fréquence:	1.03GHz ~ 1.09GHz
gagner:	22dB
tension - test:	50 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	22 mA
puissance - sortie:	80W
tension - nominale:	120 V
paquet / caisse:	PL32A2
paquet de dispositif de fournisseur:	PL32A2

BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	973 Plus sur la commande
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1161 Plus sur la commande
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	894 Plus sur la commande
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1618 Plus sur la commande
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	985 Plus sur la commande
BLF7G27LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	994 Plus sur la commande
CLF1G0035-100PU	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	863 Plus sur la commande
BLA9H0912L-250GU	BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY	937 Plus sur la commande
MMBF5484	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	860 Plus sur la commande
STAC3932B	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B	868 Plus sur la commande
BLP05H635XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	894 Plus sur la commande
MCH3414-EBM-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	99943 Plus sur la commande
MRF6V4300NBR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1335 Plus sur la commande