IGT1112M90

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Numéro d'article IGT1112M90
LIXINC Part # IGT1112M90
Fabricant Integra Technologies
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - rf
Description GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IGT1112M90 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 13 - Jun 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IGT1112M90 Caractéristiques

Numéro d'article:IGT1112M90
Marque:Integra Technologies
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:Integra Technologies
série:*
emballer:Tray
état de la pièce:Active
à transistors:-
fréquence:-
gagner:-
tension - test:-
courant nominal (ampères):-
figure de bruit:-
courant - test:-
puissance - sortie:-
tension - nominale:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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