XP231N0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd. XP231N0201TR-G | XP231N0201TR-G Inventory, Best Pricing

XP231N0201TR-G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	XP231N0201TR-G
LIXINC Part #	XP231N0201TR-G
Fabricant	Torex Semiconductor Ltd.
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 200MA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	XP231N0201TR-G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

XP231N0201TR-G Caractéristiques

Numéro d'article:	XP231N0201TR-G
Marque:	Torex Semiconductor Ltd.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Torex Semiconductor Ltd.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	200mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	180 pC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6.5 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	400mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	-
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3