TPH3207WS

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Numéro d'article TPH3207WS
LIXINC Part # TPH3207WS
Fabricant Transphorm
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TPH3207WS Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 14 - Jun 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPH3207WS Caractéristiques

Numéro d'article:TPH3207WS
Marque:Transphorm
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Transphorm
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:41mOhm @ 32A, 8V
vgs(th) (max) @ id:2.65V @ 700µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 8 V
vg (max):±18V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2197 pF @ 400 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):178W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
paquet / caisse:TO-247-3

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