BSC057N08NS3GATMA1

BSC057N08NS3GATMA1
Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article BSC057N08NS3GATMA1
LIXINC Part # BSC057N08NS3GATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BSC057N08NS3GATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 15 - Jun 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC057N08NS3GATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BSC057N08NS3GATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:16A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 73µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 40 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 114W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-5
paquet / caisse:8-PowerTDFN

Les produits qui pourraient vous intéresser

NTMFS4H013NFT3G NTMFS4H013NFT3G MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN 989

Plus sur la commande

2N7002LT7G 2N7002LT7G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 88465

Plus sur la commande

NDS0605 NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 924

Plus sur la commande

CPH3331-TL-E CPH3331-TL-E P-CHANNEL SILICON MOSFET 33813

Plus sur la commande

STP180N4F6 STP180N4F6 MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 909

Plus sur la commande

AOTF3N80 AOTF3N80 MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F 965

Plus sur la commande

BUK9840-55/CUX BUK9840-55/CUX MOSFET N-CH 55V 5A/10.7A SOT223 909

Plus sur la commande

G30N04D3 G30N04D3 MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L 6901

Plus sur la commande

RJK4006DPD-00#J2 RJK4006DPD-00#J2 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 33905

Plus sur la commande

NTE455 NTE455 MOSFET-DUAL GATE N-CH 1362

Plus sur la commande

STF46N60M6 STF46N60M6 MOSFET N-CH 600V 36A TO220FP 847

Plus sur la commande

NVMFS5C612NLWFAFT1G NVMFS5C612NLWFAFT1G MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN 993

Plus sur la commande

SSM3K48FU,LF SSM3K48FU,LF MOSFET N-CH 30V 100MA USM 5497

Plus sur la commande

Demande rapide

En stock 32834 - Plus sur la commande
Limite de devis Sans limites
Délai de mise en œuvre Être confirmé
Le minimum 1

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Tarification (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.80000$1.8
5000$1.15805$5790.25
10000$1.13660$11366

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

Contactez-nous

APPELEZ-NOUS
SKYPE
LIXINC

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

Nos certificats

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top