ZVN2106GTA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZVN2106GTA

ZVN2106GTA

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	ZVN2106GTA
LIXINC Part #	ZVN2106GTA
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZVN2106GTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 16 - Jun 20 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ZVN2106GTA Caractéristiques

Numéro d'article:	ZVN2106GTA
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	710mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	75 pF @ 18 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA