G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D | G3R450MT17D Inventory, Best Pricing

G3R450MT17D

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Numéro d'article	G3R450MT17D
LIXINC Part #	G3R450MT17D
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	G3R450MT17D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 13 - Jun 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

G3R450MT17D Caractéristiques

Numéro d'article:	G3R450MT17D
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	G3R™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	1700 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	15V
rds sur (max) @ id, vgs:	585mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 2mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 15 V
vg (max):	±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 1000 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	88W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3
paquet / caisse:	TO-247-3