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Numéro d'article | IPB019N06L3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB019N06L3GATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPB019N06L3GATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jun 15 - Jun 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPB019N06L3GATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.2V @ 196µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 166 nC @ 4.5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 28000 pF @ 30 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 250W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | D²PAK (TO-263AB) |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
SUM60N02-3M9P-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A TO263 | 1030 Plus sur la commande |
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SI4840BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 19A 8SO | 13425 Plus sur la commande |
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DMTH3004LFG-13 | MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333 | 969 Plus sur la commande |
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STL10LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV | 940 Plus sur la commande |
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VP0106N3-G | MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 | 1339 Plus sur la commande |
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2SK3065T100 | MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 | 20133 Plus sur la commande |
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PMN25ENEAX | MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP | 9863 Plus sur la commande |
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IPD60R280PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3 | 3416 Plus sur la commande |
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STD12NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 2692 Plus sur la commande |
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IXFK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA | 987 Plus sur la commande |
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STWA75N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 72A TO247 | 1527 Plus sur la commande |
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FDB6035L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1612 Plus sur la commande |
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FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 | 826 Plus sur la commande |
En stock | 10874 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.30000 | $3.3 |
1000 | $2.46275 | $2462.75 |
2000 | $2.33962 | $4679.24 |
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