EPC2015C

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Numéro d'article EPC2015C
LIXINC Part # EPC2015C
Fabricant EPC
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description GANFET N-CH 40V 53A DIE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EPC2015C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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EPC2015C Caractéristiques

Numéro d'article:EPC2015C
Marque:EPC
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:EPC
série:eGaN®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:53A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V
rds sur (max) @ id, vgs:4mOhm @ 33A, 5V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 9mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 5 V
vg (max):+6V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1180 pF @ 20 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:Die
paquet / caisse:Die

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