UF3SC065030D8S | UnitedSiC UF3SC065030D8S | UF3SC065030D8S Inventory, Best Pricing

UF3SC065030D8S

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Numéro d'article	UF3SC065030D8S
LIXINC Part #	UF3SC065030D8S
Fabricant	UnitedSiC
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	UF3SC065030D8S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

UF3SC065030D8S Caractéristiques

Numéro d'article:	UF3SC065030D8S
Marque:	UnitedSiC
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	UnitedSiC
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	18A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	12V
rds sur (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (max) @ id:	6V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	43 nC @ 12 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	179W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DFN (8x8)
paquet / caisse:	4-PowerTSFN