UF3C120150K4S | UnitedSiC UF3C120150K4S | UF3C120150K4S Inventory, Best Pricing

UF3C120150K4S

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Numéro d'article	UF3C120150K4S
LIXINC Part #	UF3C120150K4S
Fabricant	UnitedSiC
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	UF3C120150K4S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

UF3C120150K4S Caractéristiques

Numéro d'article:	UF3C120150K4S
Marque:	UnitedSiC
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	UnitedSiC
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	18.4A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	12V
rds sur (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 5A, 12V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	25.7 nC @ 12 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	738 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	166.7W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-4
paquet / caisse:	TO-247-4