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Numéro d'article | SIA413DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA413DJ-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIA413DJ-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | May 18 - May 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SIA413DJ-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 12 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 1.5V, 4.5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 29mOhm @ 6.7A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 57 nC @ 8 V |
vg (max): | ±8V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1800 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
paquet / caisse: | PowerPAK® SC-70-6 |
SIHP22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | 850 Plus sur la commande |
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TK39A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS | 911 Plus sur la commande |
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MMBF170Q-7-F | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 | 4095 Plus sur la commande |
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IPI072N10N3G | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 11830 Plus sur la commande |
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TK30S06K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | 825 Plus sur la commande |
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SSM6J801R,LF | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | 2065 Plus sur la commande |
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HUF76432P3 | MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3 | 844 Plus sur la commande |
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IXFH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD | 850 Plus sur la commande |
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SQD25N06-22L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252 | 3232 Plus sur la commande |
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IPA60R160P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | 2313 Plus sur la commande |
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IXTT36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO268 | 807 Plus sur la commande |
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SI8499DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT | 24350 Plus sur la commande |
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IRFB7430GPBF | MOSFET N CH 40V 195A TO220AB | 850 Plus sur la commande |
En stock | 24956 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.98000 | $0.98 |
3000 | $0.46164 | $1384.92 |
6000 | $0.43997 | $2639.82 |
15000 | $0.42449 | $6367.35 |
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