IPP020N06NAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP020N06NAKSA1 | IPP020N06NAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP020N06NAKSA1

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Numéro d'article	IPP020N06NAKSA1
LIXINC Part #	IPP020N06NAKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPP020N06NAKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 20 - May 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPP020N06NAKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPP020N06NAKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	29A (Ta), 120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 143µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	106 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7800 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3W (Ta), 214W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-3
paquet / caisse:	TO-220-3

IPB080N06N G	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3	926 Plus sur la commande
AON7240	MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN	978 Plus sur la commande
FDD5810-F085	MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK	862 Plus sur la commande
AOD5T40P	MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252	1497 Plus sur la commande
HUFA75309T3ST	MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4	35283 Plus sur la commande
FDS86106	MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC	139078468 Plus sur la commande
SI3460DDV-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP	3758 Plus sur la commande
AUIRF5210STRL	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	864 Plus sur la commande
NCV8440ASTT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1539 Plus sur la commande
FQPF8N80C	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	1235 Plus sur la commande
DMG3407SSN-7	MOSFET P-CH 30V 4A SC59	924 Plus sur la commande
BSS670S2LH6433XTMA1	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23	903 Plus sur la commande
SIHH20N50E-T1-GE3	MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8	3729 Plus sur la commande