CMS06N10V8-HF | Comchip Technology CMS06N10V8-HF | CMS06N10V8-HF Inventory, Best Pricing

CMS06N10V8-HF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	CMS06N10V8-HF
LIXINC Part #	CMS06N10V8-HF
Fabricant	Comchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8PDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CMS06N10V8-HF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 13 - Jun 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CMS06N10V8-HF Caractéristiques

Numéro d'article:	CMS06N10V8-HF
Marque:	Comchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Comchip Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6.8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	26.2 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1535 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.7W (Ta), 10.4W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerWDFN