DMN1054UCB4-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

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Numéro d'article	DMN1054UCB4-7
LIXINC Part #	DMN1054UCB4-7
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMN1054UCB4-7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 21 - May 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMN1054UCB4-7 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMN1054UCB4-7
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	8 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.2V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vg (max):	±5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	908 pF @ 6 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	740mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	X1-WLB0808-4
paquet / caisse:	4-XFBGA, WLBGA