LND01K1-G

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Numéro d'article LND01K1-G
LIXINC Part # LND01K1-G
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO LND01K1-G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé May 20 - May 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

LND01K1-G Caractéristiques

Numéro d'article:LND01K1-G
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):9 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:330mA (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):0V
rds sur (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):+0.6V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:46 pF @ 5 V
fonction fet:Depletion Mode
puissance dissipée (max):360mW (Ta)
température de fonctionnement:-25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-5
paquet / caisse:SC-74A, SOT-753

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