FDMS7560S

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Numéro d'article FDMS7560S
LIXINC Part # FDMS7560S
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDMS7560S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 13 - Jun 17 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS7560S Caractéristiques

Numéro d'article:FDMS7560S
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:PowerTrench®, SyncFET™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:30A (Ta), 49A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.45mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:93 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5.945 pF @ 13 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 89W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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