IRFH8201TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH8201TRPBF | IRFH8201TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8201TRPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFH8201TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8201TRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFH8201TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 12 - Jun 16 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFH8201TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFH8201TRPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®, StrongIRFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	49A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	111 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7330 pF @ 13 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.6W (Ta), 156W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN