BSC014N04LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC014N04LSIATMA1

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Numéro d'article	BSC014N04LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC014N04LSIATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSC014N04LSIATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 20 - May 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSC014N04LSIATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSC014N04LSIATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	31A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4000 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8 FL
paquet / caisse:	8-PowerTDFN

FQI50N06LTU	MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK	2616 Plus sur la commande
ZVN4206AV	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	5850 Plus sur la commande
IPN50R2K0CEATMA1	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223	6549 Plus sur la commande
TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2921 Plus sur la commande
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	996 Plus sur la commande
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15929 Plus sur la commande
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3659 Plus sur la commande
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	1046 Plus sur la commande
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9335 Plus sur la commande
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1110 Plus sur la commande
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6469 Plus sur la commande
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	994 Plus sur la commande
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15429 Plus sur la commande