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Numéro d'article | FDB3632 |
LIXINC Part # | FDB3632 |
Fabricant | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDB3632 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDB3632 |
Marque: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 80A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6000 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 310W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | D²PAK |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NTB10N40 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 932 Plus sur la commande |
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IXTH130N15X4 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | 862194 Plus sur la commande |
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PSMN6R4-30MLDX | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33 | 2090 Plus sur la commande |
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TK14A65W5,S5X | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS | 950 Plus sur la commande |
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RSS065N06FRATB | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP | 862 Plus sur la commande |
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STD2N62K3 | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | 13485 Plus sur la commande |
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STI55NF03L | MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK | 931 Plus sur la commande |
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IPD60R180C7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3 | 3303 Plus sur la commande |
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SIHD12N50E-GE3 | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK | 3109 Plus sur la commande |
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FDB8444 | MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB | 6302476 Plus sur la commande |
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UPA1725G-E1-A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3485 Plus sur la commande |
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PMPB40SNA115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 59903 Plus sur la commande |
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IRFR110PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | 3827 Plus sur la commande |
En stock | 11602 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.21000 | $3.21 |
800 | $2.20451 | $1763.608 |
1600 | $2.06514 | $3304.224 |
2400 | $1.96759 | $4722.216 |
5600 | $1.89791 | $10628.296 |
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