RM6N100S4V | Rectron USA RM6N100S4V | RM6N100S4V Inventory, Best Pricing

RM6N100S4V

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Numéro d'article	RM6N100S4V
LIXINC Part #	RM6N100S4V
Fabricant	Rectron USA
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RM6N100S4V Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 16 - Jun 20 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RM6N100S4V Caractéristiques

Numéro d'article:	RM6N100S4V
Marque:	Rectron USA
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rectron USA
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	690 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223-3
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA