IPP041N12N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP041N12N3GXKSA1 | IPP041N12N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP041N12N3GXKSA1

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Numéro d'article	IPP041N12N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPP041N12N3GXKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPP041N12N3GXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 19 - May 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPP041N12N3GXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPP041N12N3GXKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	120 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 270µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	211 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	13800 pF @ 60 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	300W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-3
paquet / caisse:	TO-220-3