IRLL014NTRPBF

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Numéro d'article IRLL014NTRPBF
LIXINC Part # IRLL014NTRPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRLL014NTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IRLL014NTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRLL014NTRPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:140mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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