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Numéro d'article | IRF1010NPBF |
LIXINC Part # | IRF1010NPBF |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IRF1010NPBF Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | May 16 - May 20 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IRF1010NPBF |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | HEXFET® |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 55 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 85A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 11mOhm @ 43A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 120 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 3210 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 180W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220AB |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
NTMFS4825NFET1G | MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN | 7242 Plus sur la commande |
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2SJ492-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | 825 Plus sur la commande |
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MTP10N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3531 Plus sur la commande |
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AOD4185 | MOSFET P-CH 40V 40A TO252 | 893 Plus sur la commande |
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CDM4-600LR TR13 PBFREE | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 3093 Plus sur la commande |
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IRF7831TRPBF | MOSFET N-CH 30V 21A 8SO | 4802 Plus sur la commande |
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IPB075N04LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6833 Plus sur la commande |
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FDD13AN06A0-F085 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 | 1872 Plus sur la commande |
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SPA11N65C3XK | SPA11N65 - 650V AND 700V COOLMOS | 917 Plus sur la commande |
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FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252 | 4433482 Plus sur la commande |
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SI1062X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V SC89-3 | 3544 Plus sur la commande |
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IAUC120N04S6N010ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 | 5824 Plus sur la commande |
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SI7342DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | 909 Plus sur la commande |
En stock | 11604 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.43000 | $1.43 |
10 | $1.27968 | $12.7968 |
100 | $1.02554 | $102.554 |
500 | $0.81047 | $405.235 |
1000 | $0.65407 | $654.07 |
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