FDMS86322

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Numéro d'article FDMS86322
LIXINC Part # FDMS86322
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDMS86322 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jun 02 - Jun 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS86322 Caractéristiques

Numéro d'article:FDMS86322
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:PowerTrench®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:13A (Ta), 60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:7.65mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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