IRF640,127 | NXP Semiconductors IRF640,127 | IRF640,127 Inventory, Best Pricing

IRF640,127

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Numéro d'article	IRF640,127
LIXINC Part #	IRF640,127
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF640,127 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jun 15 - Jun 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF640,127 Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF640,127
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	16A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1850 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	136W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3