2SK1058-E | Renesas Electronics America 2SK1058-E | 2SK1058-E Inventory, Best Pricing

2SK1058-E

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	2SK1058-E
LIXINC Part #	2SK1058-E
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SK1058-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 19 - May 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SK1058-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SK1058-E
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	160 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	100W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P
paquet / caisse:	TO-3P-3, SC-65-3