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RQA0002DNSTB-E

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Numéro d'article	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RQA0002DNSTB-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 18 - May 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RQA0002DNSTB-E Caractéristiques

Numéro d'article:	RQA0002DNSTB-E
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	16 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	102 pF @ 0 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	15W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	2-HWSON (5x4)
paquet / caisse:	3-DFN Exposed Pad

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