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NAND01GR3B2CZA6E

NAND01GR3B2CZA6E
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Numéro d'article NAND01GR3B2CZA6E
LIXINC Part # NAND01GR3B2CZA6E
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NAND01GR3B2CZA6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé May 11 - May 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NAND01GR3B2CZA6E Caractéristiques

Numéro d'article:NAND01GR3B2CZA6E
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:1Gb (128M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
temps d'accès:25 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:63-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:63-VFBGA (9.5x12)

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