NAND512W3A2BZA6E

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Numéro d'article NAND512W3A2BZA6E
LIXINC Part # NAND512W3A2BZA6E
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NAND512W3A2BZA6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé May 20 - May 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NAND512W3A2BZA6E Caractéristiques

Numéro d'article:NAND512W3A2BZA6E
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:STMicroelectronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:50ns
temps d'accès:50 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:63-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:63-VFBGA (8.5x15)

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