EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.
EPC2203

EPC2203

EPC

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GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

11 382

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EPC2219

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TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

10 975

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EPC2012C

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EPC

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GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

30 154

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EPC2015C

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GANFET N-CH 40V 53A DIE

17 040

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EPC2010C

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GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

12 191

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EPC2022

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GANFET N-CH 100V 60A DIE

11 058

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EPC2014C

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GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

29 570

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EPC2020

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GANFET N-CH 60V 90A DIE

16 432

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EPC8009

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GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

12 986

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EPC2039

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GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

90 065

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