NTMFD4C86NT3G

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Numéro d'article NTMFD4C86NT3G
LIXINC Part # NTMFD4C86NT3G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description NTMFD4C86N - POWERPHASE, DUAL N-
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTMFD4C86NT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé May 21 - May 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NTMFD4C86NT3G Caractéristiques

Numéro d'article:NTMFD4C86NT3G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonction fet:Standard
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11.3A, 18.1A
rds sur (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:22.2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1153pF @ 15V
puissance - maximum:1.1W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-PowerTDFN
paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN (5x6)

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