CSD85301Q2 | Texas Instruments CSD85301Q2 | CSD85301Q2 Inventory, Best Pricing

CSD85301Q2

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Numéro d'article	CSD85301Q2
LIXINC Part #	CSD85301Q2
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD85301Q2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	May 18 - May 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD85301Q2 Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD85301Q2
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate, 5V Drive
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A
rds sur (max) @ id, vgs:	27mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5.4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	469pF @ 10V
puissance - maximum:	2.3W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	6-WSON (2x2)